Impact des conditions de passivation sur les propriétés électroniques des interfaces III-V et III-N
- Date :
- Vendredi 24 mai 2024
- Heure :
- À 9 h
- Type :
- Soutenance de thèse
- Lieu :
- Local P2-1002 de l’Institut interdisciplinaire d’innovation technologique (3IT) et par la plateforme Teams
Description :
Doctorant: Olivier Richard
Directeur de recherche: Vincent Aimez
Codirecteur de recherche: Abdelatif Jaouad
Président du jury : À être confirmé
Résumé: Le grand potentiel des semi-conducteurs III-V/III-N a été démontré depuis plusieurs décennies par la grande variété d’applications que ces matériaux ont conquis en télécommunications, optoélectronique, gestion de puissance électrique, etc. Malgré leurs avantages, les technologies III-V restent limitées par la qualité de leurs surfaces et interfaces, caractérisées par une grande densité de défauts électroniques. Ces défauts tendent à réduire les performances des dispositifs, causer des instabilités et affecter leur fiabilité et sont même à l’origine de l’absence de technologies de transistors MOS viable sur les III-V. Le travail de cette thèse s’articule autour des procédés technologiques de passivation qui visent à réduire la densité des défauts d’interface. Le résultat central de ce travail est de démontrer que les conditions dans lesquelles sont réalisées les procédés de passivation peuvent avoir un fort impact sur les propriétés électroniques des interfaces et contribuer à la fonctionnalisation des dispositifs associés. Cela sera illustré à travers différentes applications : (i) La passivation/encapsulation du GaAs par déposition PECVD du SiNx avec la première démonstration expérimentale de l’impact de la fréquence plasma. (ii) La démonstration du premier contact passivant pour les cellules solaires triple jonction IIII-V/Ge. (iii) La déposition PECVD de SiOx pour le contrôle de la tension de seuil lors de la formation du contact de grille MOS sur les transistors GaN/AlGaN.
Doctorant: Olivier Richard
Directeur de recherche: Vincent Aimez
Codirecteur de recherche: Abdelatif Jaouad
Président du jury : À être confirmé
Résumé: Le grand potentiel des semi-conducteurs III-V/III-N a été démontré depuis plusieurs décennies par la grande variété d’applications que ces matériaux ont conquis en télécommunications, optoélectronique, gestion de puissance électrique, etc. Malgré leurs avantages, les technologies III-V restent limitées par la qualité de leurs surfaces et interfaces, caractérisées par une grande densité de défauts électroniques. Ces défauts tendent à réduire les performances des dispositifs, causer des instabilités et affecter leur fiabilité et sont même à l’origine de l’absence de technologies de transistors MOS viable sur les III-V. Le travail de cette thèse s’articule autour des procédés technologiques de passivation qui visent à réduire la densité des défauts d’interface. Le résultat central de ce travail est de démontrer que les conditions dans lesquelles sont réalisées les procédés de passivation peuvent avoir un fort impact sur les propriétés électroniques des interfaces et contribuer à la fonctionnalisation des dispositifs associés. Cela sera illustré à travers différentes applications : (i) La passivation/encapsulation du GaAs par déposition PECVD du SiNx avec la première démonstration expérimentale de l’impact de la fréquence plasma. (ii) La démonstration du premier contact passivant pour les cellules solaires triple jonction IIII-V/Ge. (iii) La déposition PECVD de SiOx pour le contrôle de la tension de seuil lors de la formation du contact de grille MOS sur les transistors GaN/AlGaN.