Système de polissage mécano-chimique CMP Alpsitec E460

Description

Système de polissage

Marque et modèle

Alpsitec E460

Spécifications techniques

• Polissage chimico-mécanique pour polissage et planarisation pour films minces isolants, semi-conducteurs ou métalliques
• Films pour polissage et planarisation
• Épaisseurs des films de 20 nm à 2 µm
• Support pour wafer 100mm, échantillons carrés de 10 x 10 et 22 x 22 mm2
• Solutions de polissage acides, basiques ou neutres avec silice, alumine, ou cérium
• Materiaux:
  • Semiconducteur: ISDP, Si, Ge, SiGe
  • Dielectric: SiO2, SiN, HfO2, Al2O3
  • Metals: Ti, TiN, Au, Pt, Cu, W, Al, Nb
  • Damascene: Ti, TiN, Au, Pt, Cu, W, Nb

Exemples de procédés disponibles

• Planarisation de jonctions nanométriques pour la fabrication de dispositifs nanoélectroniques de type RRAM, SET, MIM
• Planarisation de nanofils métalliques
• Polissage de Si3N4, SiO2 pour diminuer la rugosité de surface
• Planarisation de microstructures d’or
• Damascene Ti, TiN, W
• Procédé CMP GeSi
• Procédé CMP Poly-Silicon
• Procédé Damascene de titane
• Procédé CMP d'or : 
  • Planarisation
  • Nano-dot
  • Nano-gap
• Procédé Damascene de titane
• Procédé CMP Poly-silicon
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