Réacteur CVD matériaux groupe IV CVD Equipment

Description

Équipement dédié à la croissance des matériaux semi-conducteurs de groupe IV (SiGe, GeSn, C “graphène”) par déposition par vapeurs chimiques.

Marque et modèle

CVD Equipment J8302

Spécifications techniques

• Porte substrat rotatif 100 mm : un substrat à la fois

• Porte substrat de 100 mm : 25 substrats à la fois

• Température d’opération : 950 ºC

• Précurseurs :

  HCl - Acide chlorhydrique (nettoyage)

  CH4 - Métane (Graphène)

  B2H6 – Diborane (dopant)

  PH3 – Phosphine (dopant)

  SiH4 - Silane

  Ge2H6 – Digermane

  GeH4 - Germane

• Gaz porteurs :

  N2 - Azote

  H2 - Hydrogène