Réacteur CBE pour matériaux III-V VG semicon

Description

Dédié à la croissance des matériaux III-V (Arseniures et Phosphures)     

Marque et modèle

VG semicon - V90       

Spécifications techniques

• Taille de wafer jusqu’à 4 po
• Equipé de ABES, RHEED, Pyromètrie et RGA   
• Précurseurs :
  • P, PH3 – Phosphine
  • As, AsH3 – Arsine
  • Ga, TEGa – Triethyl Gallium
  • In, TMIn – Trimethyl Indium
  • Al, TMAl – Trimethyl Aluminium
  • Al, TEAl – Triethyl Aluminium
  • Te, DIPTe – Di-isopropyl Tellure
  • Si, SiBr4 – Tetrabromure de Silicium
  • C, CBr4 – Tetrabromure de Carbone

Exemples de procédés disponibles

• Matériaux III-V (Arseniures et Phosphures) pour l'optoeléctronique
• Voir le diagramme des matériaux disponibles