Graveur plasma STS pour diélectriques AOE

Description

Gravure de matériaux diélectriques par plasma à haute densité

Marque et modèle

STS - Multiplex Inductively Coupled Plasma (ICP) SR AOE system

Spécifications techniques

• Température du substrat : -20°C à 70°C
• Source ICP : jusqu'à 3 kW à 13.56 MHz
• Source du plateau : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
• Gaz installés sur le système : Ar, He, H₂, C₄F₈, O₂, CF₄
• Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 150 mm de diamètre; compatible avec petits échantillons

Exemples de procédés disponibles

• Gravure d'oxyde de silicium
• Gravure de nitrure de silicium