Graveur plasma STS pour silicium ASE

Description

Gravure de silicium par plasma à haute densité 

Marque et modèle

STS - Multiplex Advanced Silicon Etch (ASE-SR) ICP system 

Spécifications techniques

• Température du substrat : 5 à 40°C
• Source ICP : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
• Source du plateau : 0-300 W à 13.56 MHz, ou 0-300 W @ 380 kHz
• Gaz de procédés installés sur le système : Ar, SF₆, C₄F₈, O₂
• Taille d'échantillons : substrats jusqu'à 100 mm de diamètre; possibilité de travailler avec de petits échantillons

Exemples de procédés disponibles

• Gravure de Si et de Ge.
• Gravure profonde pour MEMS
• Gravure par procédé Bosch (alternance d'étapes de gravure et passivation)
• Gravure par procédé semi-Bosch
• Gravure de SOI
• Gravure isotropique de Si