GEL310 - Dispositifs électroniques à semi-conducteur
Présentation
Sommaire
- Cycle
- 1er cycle
- Crédits
- 2 crédits
- Faculté ou centre
- Faculté de génie
Cible(s) de formation
Justifier l'allure des caractéristiques v-i des dispositifs électroniques d'après leurs principes de fonctionnement physique; identifier une technologie appropriée selon l'application et les caractéristiques recherchées d'un circuit électronique.
Contenu
Conducteur, semi-conducteur et isolant. Mécanismes de diffusion et de dérive, mobilité. Dopage de type P ou de type N. Jonction PN en circuit ouvert, en polarisation inverse ou dans le sens passant. Relation v-i d'une jonction polarisée dans le sens passant. Jonctions PNP et NPN, relation v-i, caractéristiques graphiques. Canal P, canal N, mécanisme de conduction et de non-conduction dans un canal. Dispositifs électroniques : diode, TBJ, TEC, TGI. Fiches techniques. Modèles de simulation de dispositifs électroniques.
Préalable(s)
Avoir effectué 2.00 sessions préalablesConcomitante(s)
Activités pédagogiques de la session 3
Antérieure(s)
Activités pédagogiques de la session 2