Optimisation topologique d'inductances intégrées en technologie FD-SOI pour des applications RF et de contrôle de QUBITS
- Date :
- Vendredi 6 décembre 2024
- Heure :
- À 14 h 30
- Type :
- Soutenance de thèse
- Lieu :
- Bâtiment GReEn-ER, salle 2C006 de l’Université Grenoble-Alpes en France et par
Description :
Doctorant: Franck Sabatier
Directeur de recherche: Dominique Drouin
Directeur de recherche (France): Philippe Galy
Titre complet: Optimisation topologique d'inductances intégrées en technologie FD-SOI pour des applications RF et de contrôle de QUBITS: utilisation de matériaux magnétiques et supraconducteurs à températures cryogéniques
Résumé: Ce travail de recherche porte sur l’amélioration des performances des inductances intégrées, des composants passifs essentiels dans les circuits électroniques radiofréquences (RF) et quantiques. Les inductances actuelles, bien que cruciales, présentent des limitations de qualité, particulièrement dans les applications à basse température, comme le contrôle des qubits. En utilisant des technologies avancées comme le 28 nm FD-SOI et des matériaux innovants tels que le NiFe (alliages magnétiques doux) et le NbN (matériaux supraconducteurs), leurs propriétés ont été modifiées pour des applications RF et quantiques. Ce travail combine simulations, fabrication et mesures expérimentales, démontrant des gains en facteur de qualité et en efficacité. Ces avancées ouvrent la voie à de nouvelles applications en informatique quantique et en télécommunications, tout en restant compatibles avec les technologies industrielles actuelles.
Doctorant: Franck Sabatier
Directeur de recherche: Dominique Drouin
Directeur de recherche (France): Philippe Galy
Titre complet: Optimisation topologique d'inductances intégrées en technologie FD-SOI pour des applications RF et de contrôle de QUBITS: utilisation de matériaux magnétiques et supraconducteurs à températures cryogéniques
Résumé: Ce travail de recherche porte sur l’amélioration des performances des inductances intégrées, des composants passifs essentiels dans les circuits électroniques radiofréquences (RF) et quantiques. Les inductances actuelles, bien que cruciales, présentent des limitations de qualité, particulièrement dans les applications à basse température, comme le contrôle des qubits. En utilisant des technologies avancées comme le 28 nm FD-SOI et des matériaux innovants tels que le NiFe (alliages magnétiques doux) et le NbN (matériaux supraconducteurs), leurs propriétés ont été modifiées pour des applications RF et quantiques. Ce travail combine simulations, fabrication et mesures expérimentales, démontrant des gains en facteur de qualité et en efficacité. Ces avancées ouvrent la voie à de nouvelles applications en informatique quantique et en télécommunications, tout en restant compatibles avec les technologies industrielles actuelles.